PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Губенко А.Я.

Изобретатель Губенко А.Я. является автором следующих патентов:

Устройство для получения монокристаллов, например, германия

Устройство для получения монокристаллов, например, германия

  М )41629 Класс 404, )за сссо i ыл ° т. t. д Ф 1ЕлЫН .Е ГЛ E V ИОТТ &. д ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 1б1 А. Я. Губенко УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ, НАПРИМЕР, ГЕРМАНИЯ Заявлено 23 февраля 1961 г. за ЛЪ 699010/22 з Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» Хе 19 за...

141629

Способ получения кристаллов германия

Способ получения кристаллов германия

 1. Способ получения кристаллов германия из расплава, включающий введение в расплав основной легирующей примеси и дополнительной легирующей примеси с последующим выращиванием кристаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности распределения удельного сопротивления в объеме кристаллов и снижения концентрации точечных дефектов в них, в качестве дополнительной примеси берут элем...

1253181

Способ получения кристаллов германия

Способ получения кристаллов германия

 Изобретение относится к электронной и металлургической промышленности. Обеспечивает повышение термостабильности свойств получаемых кристаллов. Способ включает выращивание кристаллов из расплава, содержащего легирующую примесь и две нейтральные примеси. В качестве нейтральных выбраны свинец и кремний, взятые в равном количестве, составляющем 31018> - 1 1020см-3. Получены кристаллы герма...

1461046

Способ получения монокристаллических полупроводниковых соединений

Способ получения монокристаллических полупроводниковых соединений

 Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к производству полупроводниковых соединений, и может быть использовано для выращивания монокристалла на основе A3B5. Способ позволяет снизить плотность дислокаций и повысить совершенство кристаллической структуры. Полупроводниковые соединения выращивают из жидкой фазы с добавкой легирующих примесей, в качестве которых использ...

1621562

Способ получения кремния, легированного сурьмой

Способ получения кремния, легированного сурьмой

 Изобретение относится к производству кремния, легированного сурьмой, широко применяемого в качестве подложек для эпитаксии. Сущность изобретения: в расплав кремния, содержащего легирующую примесь сурьму в концентрациях 0,3-1,4 мас.%, вводят вторую примесь - германий нелегированный или легированный изовалентной примесью или элементом V группы, в концентрациях 0,08-1,8 мас. % по отношению к...

2202656