Молгачев Е.А.

 Способ выращивания кристаллов алюминия из расплава на затравку, ориентированную по оси <111> в вакууме не ниже 1 10-5 мм рт.ст., отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты кристаллов, выращивание ведут одновременно на затравку, ориентированную по оси <110> и параллельно присоединенную к затравке, ориентированной по оси <111>, со скоростью не более 60 мм/ч.

 Гиперпроводящий материал на основе высокочистого алюминия с отношением электросопротивлений при температурах 293 и 4,2 К более 1000, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности при работе в сильных магнитных полях путем снижения магнетосопротивления, он содержит иттрий при следующем соотношении компонентов, мас.%: Иттрий - 0,001 - 0,01 Алюминий - Остальное