Бутаева А.Н.
Изобретатель Бутаева А.Н. является автором следующих патентов:

Полупроводниковый электролюминесцентный источник света с перестраиваемым цветом свечения
Изобретение относится к светодиодам, содержащим р-n-переход в качестве основного источника излучения и фотолюминесцирующее вещество, преобразующее излучение основного источника в излучение с другой длиной волны. Сущность: светоизлучающий диод содержит полупроводниковый электролюминесцентный кристалл на основе нитрида галлия и органическую фотолюминесцентную область. Полупроводниковый крис...
2202843