Денисюк Владимир Антонович

 Изобретение относится к технологии создания высоколегированных P+ - слоев в кремниевых пластинах диаметром 100 мм мм при температурах диффузии 725 - 975°С. Цель - повышение уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725 - 975°С при производстве интегральных микросхем. Источник диффузии бора изготавливается следующим образом. Приготавливают диффузант путем смеш...

  Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления твердых планарных источников фосфора для диффузии. Целью изобретения является увеличение срока службы путем снижения выкрашивания частиц диффузанта из источников и повышения термомеханической стойкости источников. Данный способ состоит в том, что приготавливают смесь порошков метафосфата алюминия и кремния в...