КОВТУН Е.Д.

  Изобретение относится к обработке кристаллов, может найти применение для определения толщины нарушенных слоев, образующихся при полировке кристаллов, и позволяет повысить точность определения толщины микронных и субмикронных слоев. Кристалл выдерживают в атмосфере активного газа при давлении до 1 Па в течение до 10 мин, затем подвергают травлению потоком ионов инертного газа с изм...