ПОЛТОРАЦКИЙ Ю.Б.

  Изобретение относится к обработке кристаллов, может найти применение для определения толщины нарушенных слоев, образующихся при полировке кристаллов, и позволяет повысить точность определения толщины микронных и субмикронных слоев. Кристалл выдерживают в атмосфере активного газа при давлении до 1 Па в течение до 10 мин, затем подвергают травлению потоком ионов инертного газа с изм...

  Изобретение относится к детектирующим устройствам для регистрации ионизирующих излучений и может применяться при изготовлении высокотемпературных сцинтилляционных детекторов Цель изобретения - повышение термопрочности детектора . Цель достигается тем, что до установки в корпус в условиях инертной атмосферы производят нагрев сцинтиллятора до 330-350°С, выдержку при указанной темпе...