БУЯКИНА Г.С.

  Изобретение относится к полупроводниковым приборам, ,в частности, к высоковольтным тиристорам. Целью изобретения является повышение блокирующей способности P-N-переходов и токовых нагрузок. В P-N-P-N-структуре высоковольтного тиристора, имеющей по торцовой поверхности фаску типа несимметричный ласточкин хвост, круговая кромка, образованная двумя пересекающимися поверхностями, одна...