Герасименко Н.Н. (SU)

 Способ формирования омических контактов на арсениде галлия, включающий нанесение на полупроводниковую подложку проводящего покрытия и термообработку ее СВЧ-излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контактов и повышения процента выхода годных за счет уменьшения контактного сопротивления с одновременным устранением опасности разрушения подложки в процессе СВЧ-обработки,...