Филатов О.Н.

 Использование: полупроводниковое и ядерное приборостроение. Сущность изобретения в полупроводниковом детекторе заряженных частиц на основе арсенида галлия, содержащем подложку из арсенида галлия, на противоположных сторонах которой выполнены слои из материалов n+ и p+ типов проводимости и металлические электроды, ориентация кристалла арсенида галлия выбрана (100), поверх слоя из материала...

 Использование: переработка урансодержащих композиций, в частности уранбериллиевых композиций. Сущность способа: уранберилловую композицию расплавляют и ведут вакуумную отгонку бериллия из расплава при давлении не выше 1 10-4 мм рт. ст теппературе не менее 1500 - 1550oС. Пары бериллин конденсируют. Нелетучий остаток кристаллизуют. Обжигают в атмосфере воздуха при температуре не ниже 500oС...