Муратов Г.Д.

 Использование: управление технологическими процессами получения полупроводниковых материалов для управления выращиванием монокристаллов в космических условиях без оператора. Сущность предложенного способа заключается в том, что в процессе нагрева образца периодически прерывают силовое питание нагревателя расплава для подачи на контур высокочастотного измерительного напряжения, формируют с...