Жиляев Ю.В.

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и обеспечивает уменьшение толщины переходных слоев. Устройство содержит реактор, внутри которого размещены источники исходных компонентов и проточная камера роста. В проточной камере роста неподвижно установлен подложкодержатель. Камера роста соединена одним из источников с помощью поворотного коммутатора. Поворотный коммутатор обеспечи...