Лукасевич М.И.

  Мо 129239 Класс 21д, 11оз СССР! ! 1 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ А. В. Лубашевский, Л. А. Петров, Д. Г. Бедов, Л. И. Манков, М, И. Лукасевич и Р. Е. Смолянский СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ПРОБИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПЛОСКОСТНЫХ КРЕМНЕВЫХ ДИОДОВ Заявлено 29 идоня 1969 г. за Ко 632282,26 в Комитет по делам изобретений и открытий ири Сове:e Министров СССР Опубликовано в «Бюл...

 Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения...

 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции термического окисления, создания боковой диэлектрической изоляции, нанесения диэлектрического слоя, селективного травления диэлектрического слоя, вскрытия окон в диэлектрических слоях, легирования пассивной и активной базовой и эмиттерной областей, металлизацию, отличающ...

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий операции окисления, формирования скрытых слоев, наращивания эпитаксиальной пленки, диэлектрических слоев, создания изолирующих и базовых областей транзисторных структур, вытравливания в диэлектрике эмиттерных и коллекторных окон, наращивания легированной пленки кремния, термического отжига для перераспределения примеси, обтравливания легир...

 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости скрытого слоя второго типа проводимости, формирование эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование боковой диэлектрической изоляции, нанесение поликремния, маскирование нитридом кремния области эмиттера, формирование пассивной базы ион...

 Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления ИС высокой степени интеграции. Цель изобретения - повышение быстродействия ИС за счет уменьшения топологических размеров эмиттерных областей транзисторов. Для этого в процессе изготовления ИС после формирования кремниевых эпитаксиальных структур со скрытым слоем и боковой диэлектрической изоляцией на поверхность...

  Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: ячейка содержит набор компонентов, выполненных в полупроводниковой подложке, n-слоев металлизации с размещенными шинами питания, причем шины питания расположены в нижнем слое металлизации. Входные и выходные контакты соответствующих дифференциальных сигналов логического элемента выведены по крайней мере в один из вышележащих слоев...

 Использование: технология ИС на биполярных транзисторах, изготовление биполярных транзисторов с "пристеночными" к диэлектрику областями базы и эмиттера. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает формирование локального скрытого слоя в подложке кремния, осаждение эпитаксиального слоя, легирование примесью базы в местах будущего расположения "пристеночных" о...

 Использование: технология ИС на биполярных вертикальных PNP транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления вертикального PNP транзистора в составе ИС включает амортизацию приповерхностного слоя и его легирование примесью p - типа проводимости в месте будущего расположения скрытых слоев p+ типа проводимости в одном процессе имплантации примесью BF2, рекристаллизацию и отжиг аморфи...

 Использование: микроэлектронника, технология изготовления комплементарных вертикальных NPN и PNP транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на общей подложке с использованием самосовмещенной структуры биполярного транзистора типа Aspekt, согласованной с технологией КМОП. Сущность изобретения: способ включает изготовление на общей подложке скрытых слоев двух типов проводимости и э...

 Использование: БиКМОП-приборы, у которых на одном кристале формируются комплементарные биополярные и полевые транзисторы, а также технология изготовления вертикальных NPN и PNP полевых транзисторов и комплементарных полевых транзисторов. Сущность изобретения: конструкция БиКМОП-прибора позволяет существенно снизить размеры транзисторов благодаря использованию самосовмещенной технологии фо...

 Использование: технология ИС с высокой степенью интеграции, способы изоляции в производстве ИС. Сущность изобретения: способ создания изоляции ИС включает формирование первого слоя нитрида кремния на поверхности кремниевой подложки, осаждение окисла кремния, окисление открытых участков кремниевой подложки, создание U-образных канавок на участках прокисления, окружающих области элементов И...

 Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной (ССТ) технологии с использованием поликремния на кремнии. Сущность изобретения: процесс селективного травления поликремния до кремния предусматривает покрытие пластины слоем диэлектрика до осаждения слоя поликремния, удаление слоя диэлектрика с поверхности плас...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах о использованием методов самосовмещенной технологии. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает создание в подложке первого типа проводимости скрытых слоев второго типа проводимости и осаждение эпитаксиального слоя второго типа проводимости, фор...

 Использование: микроэлектроника, а именно технология БиКМОП приборов, у которых на одном кристалле формируются комплиментарные биполярные и полевые транзисторы. Сущность изобретения: в способе изготовления БиКМОП прибора за счет того, что оставляют первый слой поликремния и подзатворный окисел в карманах полевых транзисторов с перекрытием слоем поликремния полевого окисла на величину, рав...

 Использование: микроэлектроника, технология БиКМОП ИС, в которой на одном кристалле формируются n-канальные и р-канальные полевые и npn биполярные транзисторы. Предлагаемый способ изготовления БиКМОП структуры обеспечивает получение высоких параметров npn биполярного и полевых транзисторов и одновременно существенно сокращает маршрут изготовления структуры. Сущность изобретения: в способе...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в способе создания структуры -кремний на изоляторе для СБИС, включающем формирование диэлектрического слоя, осаждение слоя поликристаллического кремния и металлического слоя на первой пластине кремния, соединение ее со вто...

 Использование: микроэлектроника, производство СБИС, у которых на одном кристалле формируются как полевые, так и биполярные транзисторы. Сущность изобретения: в структуре - кремний на изоляторе для СБИС, содержащей первый и второй кремниевые слои, диэлектрический слой и слой силицидов металлов между ними, изолированные вторым диэлектрическим слоем области в кремниевом слое, предназначенном...

 Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных схем (ИС). Предложенный способ изготовления резисторов в интегральных схемах включает формирование на поверхности пластины кремния слоя диэлектрика, осаждение слоя аморфного кремния, формирование в нем резисторов. Перед формированием в слое аморфного кремния резисторов его отжигают при темпер...

 Использование: микроэлектроника, БиКМОП приборы, у которых на одном кристалле формируются биполярные и полевые транзисторы, существенно расширяющие функциональные возможности и эффективность цифровых и аналоговых схем. Техническим результатом изобретения является сокращение числа слоев поликристаллического кремния, что делает более рентабельным промышленное производство структур биполярны...

 Использование: микроэлектроника, а именно БиКМОП приборы, у которых на одном кристалле формируются биполярные и полевые транзисторы, существенно расширяющие функциональные возможности и эффективность цифровых и аналоговых схем. Сущность изобретения: в пластине кремния, включающей области коллектора, области базы и эмиттера, контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, изолирующий поле...