Шевченко А.П.

 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции термического окисления, создания боковой диэлектрической изоляции, нанесения диэлектрического слоя, селективного травления диэлектрического слоя, вскрытия окон в диэлектрических слоях, легирования пассивной и активной базовой и эмиттерной областей, металлизацию, отличающ...

 Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления ИС высокой степени интеграции. Цель изобретения - повышение быстродействия ИС за счет уменьшения топологических размеров эмиттерных областей транзисторов. Для этого в процессе изготовления ИС после формирования кремниевых эпитаксиальных структур со скрытым слоем и боковой диэлектрической изоляцией на поверхность...

 Использование: в машиностроении для трубоагрегатов и высокоскоростных роторных систем. Сущность: газодинамический подшипник содержит электроизолированную от корпуса втулку и электрическую систему искрового разряда. За точкой подвижного контакта поверхностей вала и втулки происходит искровой разряд и формируется зона повышенного давления газа и соответственно отталкивающая сила. Это обеспе...

 Использование: технология ИС на биполярных вертикальных PNP транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления вертикального PNP транзистора в составе ИС включает амортизацию приповерхностного слоя и его легирование примесью p - типа проводимости в месте будущего расположения скрытых слоев p+ типа проводимости в одном процессе имплантации примесью BF2, рекристаллизацию и отжиг аморфи...

 Использование: микроэлектронника, технология изготовления комплементарных вертикальных NPN и PNP транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на общей подложке с использованием самосовмещенной структуры биполярного транзистора типа Aspekt, согласованной с технологией КМОП. Сущность изобретения: способ включает изготовление на общей подложке скрытых слоев двух типов проводимости и э...

 Использование: технология ИС с высокой степенью интеграции, способы изоляции в производстве ИС. Сущность изобретения: способ создания изоляции ИС включает формирование первого слоя нитрида кремния на поверхности кремниевой подложки, осаждение окисла кремния, окисление открытых участков кремниевой подложки, создание U-образных канавок на участках прокисления, окружающих области элементов И...

 Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной (ССТ) технологии с использованием поликремния на кремнии. Сущность изобретения: процесс селективного травления поликремния до кремния предусматривает покрытие пластины слоем диэлектрика до осаждения слоя поликремния, удаление слоя диэлектрика с поверхности плас...

 Изобретение относится к оборудованию для удаления легких примесей из водяного потока и может быть использовано в сахарной промышленности. Сущность: ботволовушка содержит каркас, закрепленные на нем приводной и натяжной узлы, каждый из которых состоит из двух пар звездочек и надетых на них роликовтулочных цепей, грабли, шарнирно подвешенные на горизонтальных вешалках, соединяющих звенья дв...

 Изобретение относится к оборудованию для удаления примесей из свекловодяной смеси. Ботволовушка содержит приводной и натяжной узлы, связанные тяговым устройством с граблями и установленные на каркасе. Она снабжена лотком для отвода примесей и укрепленным над ним неподвижным упором. Тяговое устройство выполнено в виде замкнутой транспортерной ленты. Грабли упруго закреплены на ней. Упор им...

 Использование: микроэлектроника, технология БиКМОП ИС, в которой на одном кристалле формируются n-канальные и р-канальные полевые и npn биполярные транзисторы. Предлагаемый способ изготовления БиКМОП структуры обеспечивает получение высоких параметров npn биполярного и полевых транзисторов и одновременно существенно сокращает маршрут изготовления структуры. Сущность изобретения: в способе...

 Направляющий орган ткацкого станка позволяет расширить технологические возможности и содержит две трубы, причем обе трубы выполнены полыми и обрезиненными. Одна из труб установлена в зоне положения берда в момент прибоя, а вторая максимально приближена к первой с возможностью их горизонтального возвратно-поступательного движения в противоположные стороны, при этом трубы имеют подпружиненн...