Самсонов Е.С.
Изобретатель Самсонов Е.С. является автором следующих патентов:

Способ создания вертикального pnp транзистора в составе ис
Использование: технология ИС на биполярных вертикальных PNP транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления вертикального PNP транзистора в составе ИС включает амортизацию приповерхностного слоя и его легирование примесью p - типа проводимости в месте будущего расположения скрытых слоев p+ типа проводимости в одном процессе имплантации примесью BF2, рекристаллизацию и отжиг аморфи...
2106037