Чибиркин В.В.

 Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров. Сущность изобретения: способ включает резку кремниевого слитка на пластины и формирование диффузионной структуры с p-n - переходами. Катодный эмиттерный переход для тиристоров с широкой базовой областью n - типа или анодный эмиттерный переход для тиристоров с широкой ба...

 Использование: изобретение относится к силовой полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов. Сущность изобретения: способ включает регулирование величины заряда обратного восстановления Qrr, определяемой соотношением Q3-QQфiQ3+Q , где Qз - требуемое значение Qrr для полупроводниковых приборов, Qфi - фактически измеренное значение Qrr у i-го полу...

 Использование: силовая полупроводниковая техника. Сущность изобретения: способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов заключается в облучении партии выпрямительных элементов (в.э.) потоком быстрых электронов, - квантов или протонов, при этом на каждом i-том выпрямительном элементе предварительно определяют U, при заданном I3, и , а величину дозы облуче...

 Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров. Сущность способа заключается в однородном по площади облучении выпрямительных элементов тиристоров потоком быстрых электронов или протонов и создании путем дополнительного локального облучения участка повышенной рекомбинации, расположенного под управляющим электродом...

 Использование: при конструировании полупроводниковых симметричных ограничителей напряжения с малым значением динамического сопротивления. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения выполнен состоящим из n одинаковых последовательно соединенных низковольтных симметричных (р-n-р или n-р-n) ограничителей напряжения, количество которых n опреде...