Герман А.Е.

 Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров. Сущность изобретения: способ включает резку кремниевого слитка на пластины и формирование диффузионной структуры с p-n - переходами. Катодный эмиттерный переход для тиристоров с широкой базовой областью n - типа или анодный эмиттерный переход для тиристоров с широкой ба...