Решетько Л.М.

 Изобретение относится к выращиванию кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов и выхода в годную продукцию за счет создания управляемого изометрического температурного поля вокруг кристалла. Устройство содержит камеру роста, внутри которой коаксиально установлены тигель и тепловой узел. Тепловой узел включает две установленные друг над другом тепловые трубы с нагревателями. М...