PatentDB.ru — поиск по патентным документам

СВИРИДОВ ВИКТОР НИКОЛАЕВИЧ

Изобретатель СВИРИДОВ ВИКТОР НИКОЛАЕВИЧ является автором следующих патентов:

Устройство для измерения частотных зависимостей емкости или проводимости

Устройство для измерения частотных зависимостей емкости или проводимости

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в системах контроля параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение достоверности и увеличение производительности измерений за счет автоматической подстройки фазовращателя при синхронном детектировании - достигается введением дополнительного канала, с помощью которого ос...

1474554

Фотозонд

Фотозонд

  Изобретение относится к устройствам для контроля фотоэлектрических свойств полупроводниковых -и диэлектрических материалов и может использоваться в системах неразрушающего контроля элементов микроэлектроники. Цель изобретения - повышение достоверности фотоэлектрических измерений. После закрепления образца 2 на столике 1, подвода зонда на расстояние, меньшее радиуса скругления рту...

1725133

Устройство для измерения частотных зависимостей емкости или проводимости

Устройство для измерения частотных зависимостей емкости или проводимости

  Использование: в измерительной технике . Сущность изобретения: устройство включает мост 1 полных проводимостей, генераторы 2, 8, усилители 3, 4, 10, детекторы 5, 6, 9, индикаторы 7, 12, удвоитель 11 частоты . Особенностью изобретения является введение блоков 8, 9, 10, 11, что позволяет обеспечить измерение диэлектрических и полуизолирующих слоев на полупроводниковой подложке с по...

1767446

Датчик для измерения импеданса биологических тканей

Датчик для измерения импеданса биологических тканей

  Изобретение относится к медицинской технике, в частности к датчикам для измерения импеданса биологических тканей. Цель изобретения - повышение достоверности измерений. Датчик содержит корпус 1 из электроизоляционного материала и установленные внутри корпуса электроды 2, выполненные из сильнолегированного низкоомного полупроводникового материала с пористой рабочей поверхностью 3,...

1799580