PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Борисов В.Т.

Изобретатель Борисов В.Т. является автором следующих патентов:

Способ непрерывной разливки плоских слитков

Способ непрерывной разливки плоских слитков

  Изобретение относится к металлургии, конкретнее к непрерывной разливке плоских слитков с их обжатием под кристаллизатором. Цель изобретения повышение качества слитков за счет исключения растягивающих усилий по его широким граням. Способ непрерывной разливки плоских слитков включает подачу жидкого металла в кристаллизатор, формирование слитка прямоугольного сечения и его вытягивание из кр...

1681454

Кристаллизатор для непрерывной разливки металлов

Кристаллизатор для непрерывной разливки металлов

 Изобретение относится к металлургии. Кристаллизатор для непрерывной разливки тонких слябов включает опорные плиты с закрепленными на них широкими и узкими рабочими стенками с образованием рабочей полости кристаллизатора с верхним участком воронкообразной формы и нижним участком прямоугольной формы. Широкие рабочие стенки на воронкообразном участке рабочей полости выполнены криволинейными...

2038906

Кристаллизатор для непрерывной разливки металлов

Кристаллизатор для непрерывной разливки металлов

 Изобретение относится к металлургии. Кристаллизатор для непрерывной разливки тонких слябов включает опорные плиты с закрепленными на них широкими и узкими рабочими стенками с образованием рабочей полости кристаллизатора с верхним участком воронкообразной формы и нижним участком прямоугольной формы. Широкие рабочие стенки на воронкообразном участке рабочей полости выполнены криволинейными...

2038907

Способ ускоренного выращивания полупроводниковых кристаллов большого диаметра путем охлаждения через расплав и воздействия электромагнитных полей для создания переохлаждения расплава

Способ ускоренного выращивания полупроводниковых кристаллов большого диаметра путем охлаждения через расплав и воздействия электромагнитных полей для создания переохлаждения расплава

 Изобретение может быть использовано в технологии получения монокристаллов полупроводников, в частности кремния. Сущность изобретения: для создания переохлаждения в пограничном слое между расплавом и гранью растущего кристалла используют электромагнитные поля, приводящие в движение расплав. В результате теплоотвод осуществляется в основном через расплав. Производительность процесса при его...

2203987