Овчинников С.Н.
Изобретатель Овчинников С.Н. является автором следующих патентов:

Полевой вертикальный транзистор
Изобретение предназначено для работы в усилителях и генераторах СВЧ и в сверхбыстродействующих переключательных схемах. Цель изобретения состоит в повышении предельной частоты генерации транзистора. Транзистор содержит монокристаллическую подложку с мезаструктурой, состоящей из двух слоев. На слое n-типа выполнены барьерные контакты, один из которых включен в прямом направлении и является...
1482479