Мартыненко В.А.

 Силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе кремниевой четырехслойной p-n-p-n-структуры, содержащий основную и вспомогательную структуры и разветвленный управляющий электрод основной структуры, при этом край эмиттера основной структуры зашунтирован по внутреннему периметру посредством дискретных поперечных шунтов базовых областей, отличающийся тем, что, с целью снижения перегр...

 Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в сильноточных коммутационных аппаратах, работающих в особых условиях эксплуатации. Целью изобретения является повышение надежности и увеличение скорости коммутации. Для разрыва цепи между электродами 4 и 5 на индуктор 6 подается импульс тока от накопителя энергии. Длительность взаимодействия электромагнитного поля с низким...