Чекунков С.В.

 Способ определения длины канала МДП-транзистора путем формирования тестовой структуры на полупроводниковой подложке, включающей области, имитирующие сток-истоковые области, и затвор МДП-транзистора, причем топологическая ширина затвора выбирается равной топологической длине канала МДП-транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, в подложке второго типа проводимости изго...

 Способ изготовления КМОП-интегральных схем, включающий формирование в подложке из кремния первого типа проводимости областей кармана второго типа проводимости, имплантацию ионов кислорода и проведение термообработок для формирования внутреннего нарушенного слоя, формирование комплементарных МОП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности КМОП-интегральных схем за сче...