Земский В.Н.

  Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных полупроводниковых приборов. Целью изобретения является увеличение степени интеграции и быстродействия интегральных схем. Последовательно наносят на поверхность полупроводниковой подложки первый слой поликристаллического кремния, первый слой окисла кремния. Проводят первую фотолитографию с травлением...

  Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС. Цель изобретения повышение быстродействия транзисторов и упрощение технологии их изготовления. Для этого транзисторы создают на основе кремниевых эпитаксиальных структур со скрытым слоем одного типа проводимости с эпитаксиальным слоем, причем эпитаксиальный слой выполняет функцию...

  Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МДП-транзисторов интегральных схем. Цель изобретения увеличение плотности компоновки и повышение быстродействия МПД-транзисторов за счет совмещения контактных областей шин стока и истока с областями затвора, а также уменьшения площади перекрытия контактных областей стока и истока с областями за...