Илющенко Н.К.

  Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных полупроводниковых приборов. Целью изобретения является увеличение степени интеграции и быстродействия интегральных схем. Последовательно наносят на поверхность полупроводниковой подложки первый слой поликристаллического кремния, первый слой окисла кремния. Проводят первую фотолитографию с травлением...