Дынник А.П.
Изобретатель Дынник А.П. является автором следующих патентов:

Способ подготовки поверхности подложки перед нанесением фоторезиста
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель изобретения - повышение выхода годных подложек - достигается за счет снижения дефектности слоя фоторезиста и исключения их реставрации. Поверхность подложки перед нанесением фоторезиста обрабатывают 0,01 - 1%-ным водным...
1491269
Способ контроля загрязнения фоторезиста микрочастицами
Изобретение относится к контрольно - измерительной технике, в частности к оптическим способам контроля загрязненности жидких сред, и может найти применение в электронной промышленности при контроле качества фоторезистивных материалов. Цель изобретения - повышение надежности контроля за счет визуализации невидимых микрочастиц. К фоторезисту добавляют поверхностно-активное вещество алкилбе...
1579204
Состав для удаления позитивного фоторезиста
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении задубленного слоя фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин и фотошаблонных заготовок. Цель изобретения - повышение эффективности процесса за счет повышения качества и скорости удаления фоторезиста, задубленного при температуре в...
1653442