УСПЕНСКИЙ ВЛАДИМИР СВЯТОСЛАВОВИЧ

  Изобретение м.б. использовано в установках для выращивания монокристаллов полупроводников методом вертикальной направленной кристаллизации. Цель изобретения - повышение срока службы при использовании рабочего тела в кварцевых тепловых трубах. Рабочее тело содержит цинк, гафний, индий и олово. Компоненты взяты в следующем соотношении, мас.%: ZN 90...70, GA+JN+SN 10...30, при этом G...