Толстун Н.Г.
Изобретатель Толстун Н.Г. является автором следующих патентов:
Способ формирования электронного поля облучения и устройство для его осуществления
Изобретение относится к ускорителям заряженных частиц, в частности к применяемым в радиационной технологии способам формирования протяженного поля облучения прямоугольной формы с соотношением сторон более чем 10:1 для облучения объектов ускоренными электронами (Э). Больший размер поля облучения определяется размерами обрабатываемого материала и составляет 1-2 м. Способ реализован в устрой...
1496616Устройство для облучения ускоренными электронами
Использование: относится к ускорительной технике, в частности к устройствам для облучения материалов через два выпускных окна прямоугольной формы с соотношением сторон более чем 10 : 1. Сущность изобретения: ускоренные электроны 2 по вакуумному электронопроводу попадают на вход импульсного коммутирующего электромагнита 3. К его обмотке подключен генератор 5 биполярных импульсов тока и ген...
1828380