Митрохин В.И.

 Использование: для анализа материалов с помощью физических средств при изготовлении полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для контроля дозы ионного легирования в подложке измеряют величину внутреннего трения до ионного легирования Q-1, величину внутреннего трения после ионного легирования Q-1 и.л и вычисляют коэффициент К увеличения внутреннего трения по зависимости К=Q-1 и.л/...