ШАМАРДИН А.К.
Изобретатель ШАМАРДИН А.К. является автором следующих патентов:

Способ изготовления @ -р- @ -высокочастотных транзисторных структур
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИА/1ИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК (51) 5 Н 01 1. 21/331 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЛИРЬПИЯ)4 При.п(НТ Ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ H АвтОРСИом свидкткльСтвм (46) 15.07.93„ Бюл, ¹ 26 (21) 4147408/25 {22) 17.11.86 (72) В.Н. Глущенко, Б.Н. Исаев, А.Н. Кастрюлев и А.К. Намардин с С0 (56) Gruaul I. et al High. Performance transistors with arsenic implan...
1499602