КРАСИН А.А.

  Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в произ водстве МОП БИС и СБИС. Цель изобретения - повышение надежности интегральных схем и повышение точности воспроизведения размеров их элементов. На кремниевой подложке локальным окислением формируют слой окиси кремния толщиИзобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве МОП Б...

  Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Целью изобретения является повышение выхода годных структур. Цель достигается тем, что способ включает последовательное формирование на поверхности кремниевой подложки слоев изолирующего окисла, поликристаллического кремния капсулнрующего покрытия, отжиг в азотсодерж...