Мокшин А.Н.
Изобретатель Мокшин А.Н. является автором следующих патентов:
Способ изготовления мдп-транзисторов
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП- транзисторов интегральных микросхем. Цель изобретения заключается в повышении точности подгонки пороговых напряжений и увеличении выхода годных МДП-транзисторов. Для этого после изготовления полевого окисла проводят ионное легирование подзатворной области для предварительного сдвига средне...
1499614