Антонова И.А.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение стабильного качества кремниевых пластин. Цель достигается тем, что проводят сначала отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200°С, а затем - отжиг в окислительной среде при 430 - 450°С и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750°С в течение 4 - 6 ч и 1000 - 1050°С. Причем продолжительность отжигов...

  Использование: для защиты от коррозии магниевых сплавов, в частности образования анодно-окисного покрытия, применяемого в качестве подслоя под ЛКП. Сущность изобретения: способ включает: предварительную подготовку поверхности, анодное окисление в растворе, содержащем кремнекислый натрий, пирофосфорнокислый натрий и аммоний фосфорнокислый однозамещенный при следующем соотношении компонент...