Ломакина Г.А.

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в оптоэлектронике, например в качестве индикатора. Цель изобретения - повышение эффективности излучения в голубой области спектра - достигается тем, что известный источник света дополнительно содержит расположенный на подложке любого политипа SiC слой политипа 4Н толщиной 5 - 20 мкм концентрацией азота (0,5-1)10...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению источников света в голубой и зеленой областях спектра. Цель изобретения - повышение выхода годных структур за счет увеличения концентрации центров дефектной люминесценции. На подложку SiC наращивают слой SiC n-типа проводимости, на который в свою очередь, наращивают слой SiC p-типа проводимости. Затем проводя...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению на основе SiC источников света с излучением в зеленой области спектра. Цель изобретения - увеличение квантовой эффективности излучения в зеленой области спектра. Эпитаксиальный слой SiC политипа 6Н n-типа проводимости наращивают на подложку в высокотемпературной печи. Наращивание ведут путем сублимации в ваку...