ГЕНЦЕЛЕВ А.Н.

  Изобретение относится к технологии рентгенолитографии в процессе производства полупроводниковых приборов. Цель изобретения - упрощение процесса. На подложке формируются метки в виде многослойной структуры. Она состоит из чередующихся полупроводниковых слоев противоположного типа проводимости или чередующихся проводящих и непроводящих слоев. Подложку облучают рентгеновским излучен...

  Изобретение относите к технологии изготовления интегральных микросхем с применением микролитографми. Цель изобретения - повышение точности совмещения. Реперный знак состоит из метки на маске в виде дифракционной решетки и метки на подложке . На подложке размещен высокоомный полупроводниковый слой 1. В нем сформированы проводящие каналы 3 в виде легированных областей. Каналы 3 под...

  Изобретение относится к технике полупроводникового производства, в частности к рентгенолитографии, и может быть использовано в установках для совмещения рисунка на маске с рисунком на подложке и экспонирования. Цель изобретения - повышение точности совмещения рисунков топологических слоев на подложке за счет установления и коррекции необходимого микризазорэ между маской и подложк...

  Изобретение относится к производству интегральных схем и полупроводниковых приборов, в частности к технологии рентгенолитографиио Цель изобретения - повьпиение выхода годных по лупроводниковых приборов - достигается путем обеспечения лучшей воспроизводимости топологического рисунка в рентгенорезисте подложки В устройстве для совмещения и экспонирования рентгеновское излучение экс...

  Изобретение относится к технике полупроводникового производства, в частности к рентгенолитографии, и предназначено для использования в установках для совмещения рисунка на маске с рисунком на подложке и экспонирования. Цель изобретения - повышение точности совмещения рисунков топологических слоев на подложке - достигается путем уменьшения погрешности установления рабочих поверхно...

  Изобретение относится к технике полупроводникового производства, в частности S к рентгенографии, и предназначено для ис- . пользования в установках для совмещения рисунка на маске с рисунком интегральной схемы на подложке и экспонирования. Цель изобретения-повыщение выхода годных полупроводниковых приборов, путем повышения точности Совмещения рисунков топологических слоев на подл...