САМОЙЛИДИ Н.П.

  Изобретение относится к технологии рентгенолитографии в процессе производства полупроводниковых приборов. Цель изобретения - упрощение процесса. На подложке формируются метки в виде многослойной структуры. Она состоит из чередующихся полупроводниковых слоев противоположного типа проводимости или чередующихся проводящих и непроводящих слоев. Подложку облучают рентгеновским излучен...

  Изобретение относится к технике полупроводникового производства, в частности к рентгенолитографии, и предназначено для использования в установках для совмещения рисунка на маске с рисунком на подложке и экспонирования. Цель изобретения - повышение точности совмещения рисунков топологических слоев на подложке - достигается путем уменьшения погрешности установления рабочих поверхно...