Портнов О.Г.
Изобретатель Портнов О.Г. является автором следующих патентов:
Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации
Изобретение относится к способам получения монокристаллов из водных растворов, конкретно кристаллов иодата лития, и позволяет повысить выход годных за счет уменьшения объема фантомной области. Приготавливают водный раствор иодата лития. Берут затравку Z-среза прямоугольной формы, ограненной по периметру гранями и с соотношением сторон по плоскости и не менее . Кристаллизацию проводя...
1503346Способ выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации
Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации и позволяет повысить однородность оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов. Кристаллизацию ведут из одного раствора йода лития на прямоугольную затравку, ограненную по периметру гранями и с соотношением сторон не менее по соответствующим плоскостям. Причем размер грани выбир...
1605584