Прокофьев С.Я.

 Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Целью изобретения является обеспечение работы транзистора при пониженных температурах и больших напряжениях. МДП-транзистор содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости, сформированные в ней области стока и истока второго типа проводимости и электрод затвора. Между областями стока и истока создана дополнительная...