Пухов В.Н.
Изобретатель Пухов В.Н. является автором следующих патентов:
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин. Целью изобретения является повышение степени интеграции элементов и повышение процента выхода годных полупроводниковых приборов путем исключения случайного ухода расплава при входе его в подложку при проведении процесса термомиграции. Для этого в сп...
1508867Способ изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин. Целью изобретения является повышение степени интеграции элементов в полупроводниковых приборах, содержащих проводящие каналы, и повышение процента выхода годных полупроводниковых приборов путем исключения случайного ухода расплава при входе его в по...
1514175