Томченко А.А.

 Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий осаждение на нагретую полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации ионно-плазменным методом в две стадии, с толщиной слоя на первой стадии 10-40 нм, формирование рисунка металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик интегральных...