Малеев Н.А.

 Использование: при изготовлении из материалов А3В5 и соединений на их основе светоизлучающих структур на квантовых точках (КТ), в частности лазеров, работающих в инфракрасном диапазоне длин волн при комнатной температуре. Способ изготовления светоизлучающей структуры на КТ включает последовательное выращивание на подложке GaAs молекулярно-пучковой эпитаксией буферного слоя GaAs, нижнего э...