Красовицкий Д.М.

 Использование: в технологии изготовления полупроводниковых лазерных диодов. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового лазерного диода, включающем изготовление полупроводниковой лазерной гетероструктуры на основе соединений элементов третьей и пятой групп, разделение ее на отдельные полосы, очистку их боковых граней в вакууме, нанесение на них защитного покрытия с пос...

 Использование: в радиотехнических, СВЧ-устройствах и т.д. Структура полевого транзистора на основе нитридов Ga и Аl последовательно включает подложку, изолирующий слой, выполненный из AlyGa1-yN, канальный слой и барьерный слой, выполненный из AlzGa1-zN. Канальный слой выполнен из AlxGa1-xN, где 0,12>х>0,03, при этом на границе канального и изолирующего слоев 1yx+0,1, на границе кана...