Космына М.Б.

  Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе металлооксидоп и может быть использовано при разработке новых приемов микроэлектроники Способ включает нагрев криааплообразующих оксидов и растворителя выдержку попу енного растворарасплава и последующее охлаждение, обеспечивает увеличение размеров фисталлов в кристаллографическом направлении ( 001 Р...

  Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе металлооксидов и может быть использовано при разработке новых приборов микроэлектроники. Обеспечивает увеличение выхода монокристаллов. Способ включает нагрев кристаллообразующих оксидов и растворителя, выдержку раствора-расплава и последующее охлаждение. Растворитель содержит оксид бария и меди в мо...

  Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе метаплооксидов и может быть использовано в микроэлектронике . Обеспечивает получение материала в виде поли1язиаалла увеличенных размеров и высокой плотностя Способ включает нагрев смеси оксидов в следующем соотношении, моп%: J О 7 - 8; ВаО 35 - 36; СиО - оаальное. Затем ведут нагрев до плавления г 12...

  Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников - ВТСП на основе металлооксидов и может быть использовано в микроэлектронике. Обеспечивает увеличение размеров кристаллов, их выхода и удобство извлечения. Процесс ведут в двойном тигле внутренний из которых имеет отверстие в дне. После кристаллизации из раствора в расплаве внутренний тигель поднимают со скоростью не...