Малахов Б.А.

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Целью изобретения является повышение точности изготовления структур за счет устранения недотравленных участков рабочих слоев. На подложку с рабочим слоем наносят слой резиста и электронолитографией формируют в нем рельеф с отрицательным профилем. Допроявление резиста осуществляют реактивным ионно-лучевым травлением (РИЛТ) в среде кислор...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Цель изобретения - повышение точности получения элементов рельефа. На кремниевую подложку последовательно наносят слои электронорезиста многослойной резистивной маски. При нанесении в качестве материала слоя, прилегающего к по...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение качества обрабатываемой структуры за счет исключения возможности образования на поверхности полупроводника нарушенного слоя при одновременном повышении плазмостойкости защитной маски. Поставленная цель достигается тем, что после созда...