Харченко В.А.

  Изобретение относится к способам купьтиви рования клеток, преимущественно тканей животных и человека в суспензии, и может быть использовано в микробиологической, медицинской промышленности и сельскохозяйственном производстве. Цель изобретения - повышение производительности процесса культивирования клеток путем увеличения массообмена и снижения травмируемости клеток и устранение п...

 Использование: изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности, к способам изготовления ферритовых изделий, используемых в качестве сердечников для ЗУ ЭВМ, сердечников магнитных головок, токосъемников и других деталей СВЧ - аппаратуры. Задачей предлагаемого изобретения является разработка способа изготовления высокоплотных ферритовых изделий. Сущность изобретения: при...

 Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния как исходного сырья для выращивания монокристаллов кремния. Установка для получения стержней поликристаллического кремния содержит разъемный реактор 1, вертикальную стойку 2, контейнер 3, подъемник 4, системы электропитания и подачи компонентов 5. Верхняя часть 6 р...

 Изобретение относится к устройствам выращивания профилированных монокристаллов из расплавов на затравочном кристалле, например, сапфира, по методам Чохральского, Киропулоса. Устройство включает цилиндрическую камеру с крышкой, тигель для расплава, затравкодержатель, закрепленный на штоке с возможностью перемещения, камера выполнена двухсекционной и с механизмом вертикального перемещения с...

 Изобретение относится к устройствам выращивания крупногабаритных объемных профилированных монокристаллов из расплавов, например, сапфира по методам Чохральского, Киропулоса. Сущность изобретения: устройство для выращивания монокристаллов из расплава на затравочном кристалле включает цилиндрическую камеру с крышкой, тепловой узел, тигель для расплава, затравкодержатель, закрепленный на што...

 Изобретение относится к технологии выращивания калиброванных профилированных объемных монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова. Сущность изобретения: способ выращивания монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов на затравочном кристалле из тигля с формообразователем заключается в том, что выращивание проводят при соответствии кристаллографических граней затра...

 Изобретение относится к производству монокристаллов и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов из вязких расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова для получения объемных профилированных калиброванных монокристаллов больших диаметров с высокой степенью совершенства структуры. Сущность изобретения: способ выращивания монокристаллов на затравочном кристалле из (в...

 Изобретение относится к устройствам, предназначенным для испарения и получения парогазовых смесей, и может найти применение в технологии полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния. Установка для получения поликристаллического кремния содержит реактор 1 водородного восстановления кремния, в котором выращивают стержни 2 поликристаллического к...