Масловский М.В.
Изобретатель Масловский М.В. является автором следующих патентов:
Способ изготовления мдп-транзисторов
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления дискретных МДП-транзисторов и интегральных микросхем. Технический результат изобретения - упрощение способа и повышение точности подгонки порогового напряжения МДП-транзистора. Сущность изобретения: способ включает операции формирования на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика с электронны...
2206142