Хлыбов А.И.
Изобретатель Хлыбов А.И. является автором следующих патентов:

Логический элемент на полевых транзисторах
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в цифровых интегральных схемах на полевых транзисторах. Целью изобретения является повышение быстродействия и коэффициента усиления по напряжению логического элемента (ЛЭ). ЛЭ содержит переключающий транзистор 1, диоды 2 сдвига уровня, источник тока на нагрузочном транзисторе 3. За счет введения транзисторов 8, 9 и диода 1...
1530058
Логический элемент на нормально открытых полевых транзисторах
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при разработке интегральных схем на полевых транзисторах. Цель изобретения - повышение быстродействия логического элемента на нормально открытых полевых транзисторах. Логический элемент содержит входной инвертор, состоящий из транзисторов 1 и 2, выходной истоковый повторитель, состоящий из транзистора 6, диодов 7 сдвига у...
1530059