Никулов В.В.

 Изобретение относится к электронной технике, в частности к приборам, изготавливаемым на основе эпитаксиальных структур кремния, и может быть использовано в приборах, работающих на сверхвысоких частотах. Цель изобретения - снижение переходного сопротивления омического контакта. Приконтактный слой наращивают из газовой фазы при пониженном давлении в едином технологическом цикле с наращивани...