ЕРКОВ В.Г.
Изобретатель ЕРКОВ В.Г. является автором следующих патентов:
Элемент памяти
Изобретение относится к вычис лительной технике, в частности к постоянным электрическим перепрограммируемым запоминающим устройствам , сохраняющим информацию при отключенном источнике питания, и может быть использовано в блоках памяти вычислительных машин, в устройствах автоматики, микропроцессорах. Цель изобретения увеличение времени храпения информации в элементе памятп . Дапь...
1540563Элемент памяти
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к постоянным электрически перепрограммируемым запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном источнике питания. Целью изобретения является увеличение количества циклов перепрограммирования элемента памяти. Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит сегнетоэлектрнческий слой 7. Слой 7...
1582890Способ формирования полицидных структур
(191 И1 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН (51)5 Н 01 L 2IЙ85 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫИ НОМИТЕТ ПО ИЗОИ ЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР.Й АВТОРСКОМУ СвидЕтельствм ) (46) 23.09.92. Бюл. 9 35 (21) 4314332/25 (22) 08.I0.87 (72) В.Г.Ерков, С.Ф.Девятова и И.А.Голод (53) 621.382(088.8) (56) Силициды тугоплавких металлов в технологии полупроводниковых при" бор...
1584653Способ изготовления затвора для мноп-элементов памяти
Изобретение относится к области технологии изготовления интегральных схем-для вычислительной техники, в частности к способу изготовления структуры затвора для МНОП-элементов памяти постоянных электрически перепрограммируемых запоминающих устройств Цель изобретения - повышение времени хранения за счет уменьшения скорости растекания информационного заряда. Цель достигается тем, что...
1641145Элемент памяти
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к постоянным1 электрическим перепрограммнруемым запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном источнике питания. Цель изобретения увеличение времени хранения и количества циклов программирования. Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит дополнительно группу диэлектрических слоев 7...
1667537