ИГАРАСИ Тецуя (JP)

 Изобретение касается получения полупроводникового материала, являющегося предпочтительным для изготовления термоэлектрических устройств. Сущность изобретения: предложен SiGe кристалл с размером кристаллических зерен объемом от 5 10-5 мм3 или более. SiGe кристалл обладает улучшенным индексом полезности и превосходной обрабатываемостью резанием, может быть использован в качестве материала...