СЛЕЗАК ЙИРЖИ

  Изобретение относится к электронной технике, в частности к установкам эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых материалов на монокристаллические подложки методом газофазного осаждения. Цель изобретения - упрощение конструкции, удешевление ее изготовления, а также повышение однородности параметров эпитаксиальных пленок путем управления распределением...

  Изобретение обеспечивает использование для уплотнения вращающегося штока подложкодержателя обычных употребляемых и допступных манжет и исключение при этом загрязнения кремниевых пластин в процессе эпитаксиального выращивания. Затвор содержит водоохлаждаемый фланец, по оси которого закреплен шток подложкодержателя. На штоке закреплено зубчатое колесо, соединенное с другим зубчатым...